Nanotransistor semi-conducteur La petite histoire Comprendre simplement Domaines de présence Son interprétation dans l'avenir Les références Mais encore …

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La petite histoire  Up Page Elaboration de mémoires L'Institut National des Sciences et Génies de Matériaux (NIMS) a développé un matériau destiné à être utilisé dans les semi-conducteurs ou les transistors. Les cristaux d'oxyde de titane utilisés ont une forme de feuille de 1 nm d'épaisseur. En empilant les feuilles les unes sur les autres, on obtient un bloc de 5 à 15 nm de hauteur. Cette structure empilée limite fortement les courants de fuite et les pertes des composants fabriqués avec ce nano-matériau consommeraient ainsi moins d'un centième de la puissance qui lui est fournie. De plus la valeur de la constante diélectrique de ce matériau est incroyablement haute ce qui signifie que les charges sont stockées avec une grande densité. Cette dernière propriété multiplié par 100 la capacité des mémoires conventionnelles à semi-conducteurs. Selon ses créateurs, le nano-matériau peut aussi être utilisé pour la couche isolante des transistors.   Sa fabrication ne nécessite aucune condition particulière de température et de pression et peut donc être faite à température ambiante et sans besoin de travailler sous-vide. L'Institut National des sciences et génies de matériaux travaille actuellement en collaboration avec des fabricants de puces japonais et étranger pour mettre en pratique le nouveau nano-matériau, en premier lieu pour fabriquer des condensateurs à grande capacité puis, plus tard, l'élaboration de mémoires et de transistors.

Comprendre simplement  Up Page Des avancées dans le domaine des nano-transistors Les professeurs CHANG Yia-Chung du Centre de recherche des sciences appliquées de l'Academia Sinica et KUO Ming-Ting du Département d'ingénierie électrique de l'Université centrale de Taiwan ont proposé un nouveau modèle théorique concernant la relation entre le spectre de conductance tunnel et la structure électronique de systèmes nanométriques. Ce modèle permettrait de concevoir des nanocomposants électroniques ayant des fonctionnalites complexes. Même si la nanotechnologie est aujourd'hui utilisée partout, il reste difficile de concevoir des transistors à cette échelle: en effet, les caractéristiques tension-intensité sont difficilement contrôlables lors de la fabrication de transistors. Ce modèle théorique prend en compte l'effet des différentes orientations des électrons à des niveaux d'énergie multiples et leurs interactions mutuelles suivant les caractéristiques tension-intensité. Les modèles précédents ne considéraient qu'un unique niveau d'énergie. La prise en compte de ces différents niveaux est essentielle pour comprendre le comportement des nanotransistors, et ainsi les concevoir.

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Les références  Up Page Réseau Pepe BE Japon BE Taiwan   Pourquoi ce site Je crois que, si les êtres humains que nous sommes ne parviennent pas toujours à évoluer comme ils le souhaiteraient _à s'épanouir professionnellement, sentimentalement et sexuellement (ce que j'appelle les trois pôles d'intérêts) c'est parce qu'il y a des barrages qui entravent leur désir d'accéder à un rêve inachevé. Je pars du principe que tout est possible, à condition de s'entourer de gens qui nous poussent à croire en nous.   Contribuer au Réseau Pepe Ce site est avant tout une encyclopédie ouverte à l'imagination et au savoir, où chacun(e) d'entre vous peut participer. Si vous avez envie de partager une passion, ou si vous sentez le besoin de vous exprimer sur un point précis, je vous invite à m'adresser un e-mail (adresse électronique accessible sur ma page d'accueil).

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